[其他]变折射率薄膜的单源真空沉积法在审
| 申请号： | 101985000000569 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85100569B | 公开（公告）日： | 1988-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庞叔鸣 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮;柯景凤 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 折射率 薄膜 真空 沉积 | ||
1、一种由两种镀膜材料制成混合膜料，采用单个电子束蒸发源的变折射率薄膜制备方法，其特征在于：混合膜料是由满足真空蒸发条件的不同折射率和熔点的镀膜材料混合、热压成柱体块料，电子束沿柱体轴向由上向下的路径对柱体块料进行定域加热蒸发，在基底上沉积形成变折射率薄膜。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所说的镀膜材料可以是满足真空蒸发条件的金属氧化物、稀土氧化物、少数硫化物和氟化物。
3、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：两种镀膜材料的熔点差值范围为500度～1000度。（℃）
4、根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：两种镀膜材料的混合比为1∶1～1∶0.5。
5、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：两种镀膜材料的混合比为1∶1～1∶0.5。
6、根据权利要求1或2或5所述的方法，其特征在于：电子束所产生的加热温度为1000度～2500度。（℃）
7、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：电子束所产生的加热温度为1000度～2500度。（℃）
8、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：电子束所产生的加热温度为1000度～2500度。（℃）
9、根据权利要求1、2、5、7或8所述的方法，其特征在于：电子束的束截面为4-8（mm）2。
10、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：电子束的束截为4-8（mm）2。
11、根据权利要求4所述的方法，其特征在于：电子束的束截面为4-8（mm）2。
12、根据权利要求6所述的方法。其特征在于：电子束的束截面为4-8（mm）2。
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