[其他]制备高纯度ⅡB

说明书

本发明提供了制备高纯度ⅡＢ－ⅥＡ族化合物，主要是制备ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ的新方法，上述化合物是制备发光材料和电光器件的重在原料。本发明采用“套管冷却式”容器的高频反应加热法，改变了迄今为止盛装反应物的容器和反应物加热体的形状。在加热反应过程中可以用水或冷空气对盛料的石英安瓿进行冷却，避免容器对合成的化合物的沾污，反应产物松散地落在容器壁上，容易取出产物，进行分段局部加热，安瓶内部压力低，可防止由于高压使安瓿易爆炸的问题，还大大缩短了加热时间，提高了反应产率，达到快速安全地制备高纯度材料。

本发明属于化合物半导体材料制备，主要是化合物半导体发光和光电材料制备领域。可用于制备高纯度的ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe。

现代显示显像技术的飞速发展，需要大量的高质量的发光材料和电光器件，人们广泛采用Ⅱ_B-Ⅵ_A族的化合物如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe做为制备发光材料和光电器件的原料，这些原料的纯度高低对制得的发光材料和电光器件的性能影响极其严重，纯度是原料质量的重要标志之一。

现在，人们用元素直接反应的方法来制备上述原料，用这种方法和用其它制备方法相比，制备上述原料的纯度较高。但是，反应产物的纯度往往低于反应物(元素)的纯度。因此，元素直接反应的关键是如何避免反应过程中沾污问题。

元素直接反应方法的内容是把反应元素放入石英安瓿中，把安瓿置于水平电炉中加热到800～1000℃，维持1～2周的时间就可合成所需要的化合物。〔参见，例如、“K·Mochizuki etal·Japan I·Appl·Phys·18（8)·1417～1454（1979)”）用元素直接反应方法时，由于长时间高温反应的结果，在石英中易挥发元素或化合物混入反应产物，还有安瓿壁与金属元素的反应物混合反应产物，大大影响所制备的化合物的纯度既使经过分离提纯处理后，仍含有C、Al、Si、Na、Cu等有害杂质。此外，内压力约高达十几个大气压，易爆炸;反应速度慢，合成周期长等缺点。采用高频感应加热器加热（参见，如US3991163）方式，克服了电炉加热反应的一些缺点。但，仍然存在着如下几个问题：（a）反应物热量传递给反应容器，而容器被加热，反应产物被沾污现象;（b）反应产物贴在容器壁上，不易取下产物;（c）反应产率低。

本发明提供了快速安全地制备高纯度的ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe的新方法。

本发明的方法，内容是把反应元素放入一种“套管冷却式”的容器中，所说的“套管冷却式”容器是由内管和外管构成。内管装反应物后真空（真空度为2×10^-5乇）密封，再放入外管中，外管两端各有一个开口，内管管壁与外管管壁间留有足够空隙，水或冷却气可以通过外管的开口及内管管壁与外管管壁间的空隙流动从而能对内管管壁进行冷却，内管和外管均用非金属的绝缘性材料制成的，内管用石英，外管用玻璃为宜。

为了提高反应产率，本方法发明采用条状锌和镉，并使它均匀地分布在安瓿中。还有，Zn或Cd要比S、Se、Te稍过量，比如Zn或Cd与S（或Se、或Te）的克原子比为1.2∶1。

用高频感应加热法来加热，加热时把“套管冷却式”容器水平放入高频感应炉的线圈中，所用的高频感应炉线圈是局部对反应物加热。所以，应该使上述容器缓慢移动，使其由一端到另一端渐渐通过高频感应炉的线圈，反应元素一部分一部分地被加热到500～800℃，从而进行化合反应。这时，盛料的石英管内部的压力约为2-4个大气压（硫或硒的蒸气压）。其压力远小于容器能承受的压力，全部反应只需要十几到几十分钟。合成的化合物松散地落在管壁上，取下合成的化合物粉末，用与已知的元素直接反应法的分离提纯法相同的方法分离提纯后，获得化合物的纯度不低于反应元素的纯度。

用高频感应炉加热时，高频感应炉的技术指标应随要合成的化合物的多少即负载大小而进行选择。若合成0.1～1kg的化合物，高频感应炉的技术指标如下：

灯丝电压：8～15V

阳极电流：0.5～3A

栅流：50～600mA