[其他]高能级磁控溅射离子镀技术在审
申请号: | 101985000002600 | 申请日: | 1985-04-01 |
公开(公告)号: | CN85102600B | 公开(公告)日: | 1988-02-03 |
发明(设计)人: | 陈宝清;朱英臣;王玉魁;王斐杰 | 申请(专利权)人: | 大连工学院 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 大连工学院专利事务所 | 代理人: | 修德金 |
地址: | 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能级 磁控溅射 离子镀 技术 | ||
1、一种用于在金属基工件上镀覆金属的高能级磁控溅射离子镀工艺,包括:
(1)将工件(8)置于真空室(1)中
(2)将真空室的真空度调至1.33×10-2帕斯卡
(3)向真空室充氩气,使真空度达到2.67×10-1帕斯卡
(4)接通溅射电源(5),使溅射靶的工作电压为600伏,工作电流为15安培
其特征在于
在溅射过程中利用一个适合于磁控溅射条件下工作的负高压电源(9)对工件(8)加偏压,实现离子镀工艺。
2、根据权利要求1所述的工艺,其特征在于所施加的负偏压为1000~2500伏,镀覆时间为3~30分钟。
3、根据权利要求2所述的工艺,其中所说的金属基工件是钢铁基工件,所镀的金属包括铝、铜、钛、铬、镍、钒、钼、钨、锌、铌、锆。
4、根据权利要求1所述的工艺,其特征在于所施加的负偏压为750~2500伏,镀覆时间为3~30分钟。
5、根据权利要求4所述的工艺,其中所说的金属基工件是有色金属基工件,所镀的金属包括铝、钛、铬、镍、锌、铜。
6、根据权利要求3或5所述的工艺,其特征在于多个靶位同时工作,所形成的镀层是合金层。
7、根据权利要求1所述的工艺,其特征在于分阶段调节所施加的偏压。
8、根据权利要求7所述的工艺,其特征在于
第一阶段负偏压为1000~2500伏,镀覆时间3~10分钟。
第二阶段负偏压为300~700伏,镀覆时间3~10分钟。
第三阶段负偏压力为0伏,镀覆时间5~20分钟。
9、根据权利要求8所述的工艺,其中所说的金属基工件包括钢铁基工件、镍基工件,所镀的金属包括铝、镍、铬、钛、铜、银、金、铜合金和不锈钢。
10、根据权利要求9所述的工艺,其特征在于一个靶位单独工作,形成的镀膜是单层膜。
11、根据权利要求9所述的工艺,其特征在于多个靶位轮换工作,形成的镀膜是多层膜。
12、根据权利要求7所述的工艺,其特征在于
第一阶段负偏压为1000~2000伏,镀覆时间3~10分钟。
第二阶段负偏压为300~500伏,镀覆时间3~10分钟。
第三阶段负偏压为0伏,镀覆时间5~20分钟。
13、根据权利要求12所述的工艺,其中所说的金属基工件是钢铁基工件,所镀的金属是锌和锌合金。
14、根据权利要求7所述的工艺,其特征在于
第一阶段负偏压为1000~2000伏,镀覆时间3~10分钟
第二阶段负偏压为300~700伏,镀覆时间3~10分钟
第三阶段负偏压为0伏,镀覆时间5~20分钟。
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