[其他]一种掺金硅热敏电阻器及其制造方法在审
| 申请号： | 101985000002901 | 申请日： | 1985-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN85102901B | 公开（公告）日： | 1988-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陶国强;陶明德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院新疆专利事务所 | 代理人： | 王蔚 |
| 地址： | 新疆维吾尔族自治*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺金硅 热敏 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、N型单晶硅中掺金形成敏感体，在敏感体上化学镀镍形成欧姆接触，在镍层上焊接镀银铜线作引出线，并用环氧树脂包封的掺金硅热敏电阻器，其特征在于，敏感体是在N型单晶硅的两面扩散金构成高阻层掺金N型单晶硅片。
2、按照权利要求1的掺金硅热敏电阻器，其特征在于，所说的N型单晶硅的两面扩散金构成的高阻层，所含金的复合比为1至1.5。
3、一种制造掺金硅热敏电阻器的方法，敏感体用固相-固相扩散形成掺金高阻层，其特征在于，所用的固相扩散源是在N型单晶硅的两面涂敷的氯化金（AuCL·4H2O）涂层。
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