[其他]二维磁矢量磁敏器件

权利要求书

1、一种磁电转换半导体器件，它是由硅磁敏晶体管组合而成的，其特征是，在硅芯片的相互垂直的两个方向上，对称地布置四只长基区磁敏晶体管。

2、如权利要求1所述的半导体器件，其硅芯片是N型单晶片或N/P⁺外延片，也可以是P型单晶片或P/N⁺外延片，它的电阻率大于10Ωcm，晶向为〈111〉。

3、如权利要求1所述半导体器件，其长基区磁敏晶体管的发射区、集电区和基极是平行地设置在硅芯片表面的条状结构，而集电区设置在发射区和基极中间，从发射区到集电区的距离大于载流子扩散长度。

4、如权利要求1、2和3所述的半导体器件，其引线结构有两种形式。一是当发射区设计在芯片中心时，有一个共用发射极引线区，而基极引线区可以是一或者两个，或者是四只长基区磁敏晶体管各独立引出;二是当基极设计在芯片中心时，有一个共用基极引线区和一个共用发射极引线区。