[其他]在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件

权利要求书

1、在充分均匀的第一材料层上形成至少一个窄沟槽的方法，其中的沟槽宽度由自对准方式决定，本方法的特征在于，在衬底区的主表面上提供一个第一掩模层，该掩模层至少有一个窗口或凹槽，至少在窗口区处以及在邻接的掩模层上面涂上一层充分均匀的第一材料，该材料层在窗口区处有一个凹槽，同时在第一材料层的上面接着覆盖一层充分均匀的第二掩模材料层以及充分均匀的第一转化层，在第一掩模层的初始窗口内的第二掩模层和第一转化层里保留一个凹槽，对第一可转化材料层进行有选择的转化处理从而生成中间掩模，用这种方法至少沿着第二掩模材料层凹槽的内沿形成一个窗口，此后用在第二掩模材料层里形成的掩模，在第一材料层中得到沟槽，所述对第一可转化材料层进行有选择的转化处理，包括该第一可转化层被一层充分均匀的第三层掩模材料所覆盖，将该层进行有选择的腐蚀处理，使得至少沿第一可转化层里凹槽的内沿的第三掩模层被保留下来，它能保护第一可转化层不被转化。

2、按照权利要求1中所述方法，其特征在于，第一可转化层由多晶半导体材料组成，用离子注入的方法将除了沿凹槽内边缘部分外的第一可转化层材料全部转化成高浓度掺杂的半导体材料，这部分半导体材料在腐蚀原始半导体材料步骤中实际上不受腐蚀的作用。

3、按照权利要求1中所述方法，其特征在于，第三掩模层由氧化硅组成。

4、按照权利要求2中所述方法，其特征在于，多晶半导体材料起扩散源的作用，用来供对窗口内的半导体材料掺杂用。

5、按照权利要求2中所述方法，其特征在于，第一可转化层包含有半导体材料，通过硅化处理，除这层材料除沿凹槽内缘外，全部被转化成硅化物，在半导体材料腐蚀过程中，这种硅化物不受腐蚀。

6、按照权利要求5中所述方法，其特征在于生成铂的硅化合物。

7、按照权利要求2中所述方法，其特征在于，第一可转化层由半导体材料组成，通过局部氧化的方法，这层材料至少沿凹槽的内沿部分被转化成氧化物，将被氧化部分除去，剩下的半导体材料则构成中间掩模。

8、按照权利要求7中所述方法的特征在于在第一可转化层上面覆盖有充分均匀的抗氧化材料层和第二可转化层，在第一掩模层原来窗口的区域内上述各层保留有凹槽，对第二可转化层进行选择性转化，得到辅助掩模，用这种方法在抗氧化材料中确定一氧化掩模。

9、在充分均匀的第一材料上至少产生一个窄沟槽，而窄沟槽的宽度由自对准方式确定，这种方法的特征在于：

在衬底区的主表面上生成有第一掩模层，该层至少有一个窗口，这个器件至少在窗口的区域内以及相邻掩模层的上面覆盖有充分均匀的第一材料层，该材料层在窗口区域内有一个凹陷，在第一材料层上面覆盖着充分均匀的第二掩模材料层，该层在第一掩模层原始窗口的区域内保有一个凹陷，而且第二掩模层发生选择性的转化，在至少沿第二掩模层凹陷的内沿抗腐蚀能力比第二掩模层其余部分差的同时，因此去掉抗腐蚀能力差的部分材料后，得到一个掩模，用这样的方法在第一材料层中形成了沟槽，所述第二掩模层发生选择性的转化包括第二掩模层被充分均匀的第三掩模材料层所覆盖，这层材料经过选择性腐蚀处理，使得至少沿着第二掩模层凹槽内沿的地方仍保留第三掩模层。剩下的第三掩模层可保护第二掩模层不致进行选择性的转化。

10、按照权利要求9所述方法，其特征在于，第二掩模层用氮化硅组成，对它的表面进行选择性地离子注入，注入之后将在腐蚀处理之前，将氮化硅进行加热处理，结果注入离子部分抗腐蚀能力变得比未注入的部分强。

11、按照权利要求9所述方法，其特征在于，为了在下邻衬底区中得到一个窄沟槽，要继续进行腐蚀处理。

12、按照权利要求11所述方法，其特征在于，衬底区是半导体区，而沟槽的全部或部分被氧化物填满。

13、按照权利要求11所述方法，其特征在于，通过将被腐蚀的层与等离子体相接触，来进行腐蚀处理，以生成沟槽。