[其他]具有一字形电子枪和彗差校正件的彩色显像管在审

专利信息
申请号: 101985000003551 申请日: 1985-05-04
公开(公告)号: CN85103551B 公开(公告)日: 1988-04-13
发明(设计)人: 陈新瑶;理查德·亨利·休斯 申请(专利权)人: 美国无线电通信公司
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 何关元
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 字形 电子枪 校正 彩色 显像管
【说明书】:

改进的彩色显象管有一个产生和引导三条电子束的一字形电子枪,这些电子束沿最初共面通路向显象管屏幕发射,电子束穿过偏转区。偏转区内建立两个正交的磁性偏转场,第一个偏转场使电子束的偏转与电子束排列方向垂直,第二个偏转场使偏离电子的偏转与其平行。这个改进由4个含有导磁部件的电子枪组成。第一和第二部件位于中心光束通路和第一、第二光束通路之间,第三和第四部件由第一和第二部件隔开,并位于外电子束通路的外面。

本发明是关于具有改进的一字形电子枪的彩色显象管,特别是关于电子枪的改进,使光栅尺寸在显象管中达到相等(也称彗差校正)。

设计一种一字形电子枪,在一个共面上更好地产生和激发三个电子束,并引导这些光束沿着会聚通路指向屏幕附近的一个光点或一个小的会聚范围。

一字形电子枪的彩色显象管所存在的一个问题是彗形象差,由于两个外电子束相对偏转线圈的中心的偏移,在那里由外磁偏转线圈在屏上扫描的电子束光栅的大小是不同的。在1965年1月5日出版的Messineo等的美国专利3164737中说,用不同的光束速度所产生的类似彗差失真,可以用围绕三枪组件中的一个或一个以上的光束通路周围的磁屏蔽来校正,1965年7月20日出版的Barkow的美国专利3,196,305中说,在三角形电子枪中的一个或一个以上的光束通路附近,使用磁性增强器可以达到同样的目的。1970年10月13日出版的Krackhardt等的美国专利3534208中说:在三个一字形电子束的中间一个电子束周围使用一个磁性屏蔽可以校正彗差,1970年12月15日出版的yoshida等的美国专利3548249中说,在中心和外光束之间使用C型部件来加强中心光束上垂直偏转场的作用。1971年7月20日出版的Murata等的美国专利3594600中说,在外光束周围使用C型屏蔽,而部件的开口侧相互面面对立。这些屏蔽使三个光束的垂直偏离场分路。1975年1月14日出版的Takeuaka等的美国专利3860850中说,在三个一字形光束的上部和下部用V型增强部件,在两个外光束周围使用C型屏蔽。1975年3月25日出版的Hughes的美国专利3873879中说,在中心光束上、下,使用小的圆盘型增强部件,并在两个外光束周围使用环形分路器。

所有这些先前的专利解决了各种光栅的尺寸问题。1983年8月2日出版的Hughes的美国专利4396862揭示出:校正件可以减弱中心光束受水平磁性偏转场的影响和两个外光束受水平与垂直偏转场的影响。这种彗形象差校正件在一字形电子枪中一直工作良好。但是,新的一字形电子枪,例如,1983年1月25日出版的Hughes等的美国专利4370592和1983年6月14日出版的Gneninges的美国专利4388552有类似的彗形象差校正问题,而幅值要小得多。虽然这些问题用Hughes的美国专利4396862中所叙述的彗形象差校正件可以解决,但是这些部件必须加工成薄片,这样在焊接时操作非常困难,而且容易变形。因此需要设计一种新型的彗形象差校正件,它将提供一种上面所说的新型电子枪所要求的更敏感的低幅值彗形象差校正件,要用合适厚度的材料,以便操作,而且焊接不会变形。本发明达到新型彗形象差校正件的设计要求。

本发明提供了一个有一字形电子枪的彩色显象管的改进,其中的电子枪用以产生和引导包括一条中心束和两条外部的电子束,三条一字形电子束的改进型彩色显象管,包括一条中心束和两条外部的束,使这三条电子束沿着最初共平面的通路到管子的屏。这些电子束通过一个偏转区,这个偏转区配带二个建立在管子内的正交偏转场。第一个场引起的电子束与电子束一字形方向相垂直的偏转。第二个场引起与电子束一字形方向相平行的偏转。这种改进包括一个有4个导磁部件的电子枪,这4个部件位于偏转区边缘部份内的电子枪出口处附近。第一和第二个导磁部件分别位于中心光束通路与第一和第二个外部电子束通路之间。第三和第四个导磁部件分别与第一和第二导磁组件隔开,并相应地位于相应外电子束通路的外面。第一和第三个部件及第二和第四部件有一些装置,这些装置用来旁通在这些部件上的、在相应地外部电子束道路周围的至少是两个正交偏转磁场之一的一部份边缘部分,另一方面,这些装置允许在这些部件上的相同边缘部分的另一部份通过经过相应的外部电子束的通路。第一和第二部件有一些装置,这些装置用来旁通在这些部件上的。在中心电子束的周围的两个正交偏转磁场之一的一部份边缘部分,另一方面,这些装置允许在这些部件上的相同边缘部分的另一部份通过经过中心电子束通路。

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