[其他]相变材料存贮器件在审
申请号: | 101985000004646 | 申请日: | 1985-06-15 |
公开(公告)号: | CN1004526B | 公开(公告)日: | 1989-06-14 |
发明(设计)人: | 罗萨·扬;尤金妮亚·米蒂利尼尔 | 申请(专利权)人: | 能源转换装置公司 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 李强 |
地址: | 美国密执安州480*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相变 材料 存贮 器件 | ||
1、一种投射束数据贮存器件,它包含可通过向其施加投射束能而在可检测状态之间变换的存贮材料,所述存贮材料包括至少两种相,其中一种相是基本上连续的、相对来说不可变换的相,其特征是包含氧化硅、氮化硅、氧化铝和氧化锗的组中选出的一种耐热材料,另一种相是包含碲和数量足够形成稳定、非晶硫族化物的交联剂的硫族化物相,它能通过光学方法在可检测状态之间变换并以散布在基本连续相中的分立晶粒的形式存在,基本连续相的熔化温度高于分立相的熔化温度,分立相可在下列状态间可逆地转换;
非晶的第一碲交联剂化合物;
规则的碲和碲含量贫乏的第二腣交联剂组合物,所述规则的碲和第二碲交联剂组合物相在非晶的第一碲交联剂组合物规则时分离。
2、权利要求1的投射束数据存贮器件,其中交联剂是从由Al、In、Ga、Si、Ge、Sn、N、P、As、Sb、Bi、S、Se及它们的组合物构成的组中选出。
3、权利要求2的投射束数据存贮器件其特征是交联剂包含锗。
4、权利要求1的投射束数据存贮器件,其特征是硫族化物是碲。
5、权利要求1的投射束数据存贮器件,其特征是交联剂包含硅。
6、权利要求1的投射束数据存贮器件,其特征是耐热形成剂从由锗、铝和硅组成的组中选出。
7、权利要求1的投射束数据存贮器件,其特征是硫族组合物包括作为硫族化物的碲、作为交联剂的锗和作为耐热形成剂的硅。
8、权利要求1的投射束数据存贮器件,其特征是交联剂与碲和全部交联剂的原子比约为1~20%。
9、权利要求1的投射束数据存贮器件,其特征是硫族化合物进一步包含反射率增加剂。
10、权利要求7的投射束数据存贮器件,其特征是进一步包含氧。
11、权利要求10的投射束数据存贮器件,其特征是锗与碲与锗之和的比率为1~20%。
12、权利要求1的投射束数据存贮器件,其特征是存贮材料用下列方法制成:
(a)沉积相变材料和密封剂材料从而形成其淀积物;
(b)基本上不可逆地把该淀积物分离成基本上连续的密封剂相和散布在密封剂相中的断续的状态可变相晶粒。
13、权利要求12的投射束数据存贮器件,包括晶化和玻璃化淀积物以实现相分离。
14、权利要求12的投射束数据存贮器件,其中状态变化材料和密封剂材料是用溅射法淀积的。
15、权利要求14的投射束数据存贮器件,其特征是状态变化材料和密封剂材料是用反应溅射法淀积的。
16、权利要求12的投射束数据存贮器件,其特征是状态变化材料及密封剂材料用蒸汽法淀积。
17、权利要求12的投射束数据存贮器件,其特征是状态变化材料及密封剂材料被同时淀积成基本均匀的淀积物。
18、权利要求12的投射束数据存贮器件,其特征是状态变化材料层和密封剂层被依次淀积。
19、权利要求12的投射束数据存贮器件,其特征是状态变化材料和密封剂构成的层与密封剂构成的层被依次淀积。
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