[其他]高速硅光敏三极管在审
| 申请号： | 101985000005936 | 申请日： | 1985-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN85105936B | 公开（公告）日： | 1987-11-25 |
| 发明（设计）人： | 何民才 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 陈畅生;龚茂铭 |
| 地址： | 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速 光敏 三极管 | ||
【权利要求书】：
1、一种高速硅光敏三极管，其特征在于：所说的光敏三极管的受光面包括暴露于受光面的集电区和基区，所说的基区为网格状，所说的暴露于受光面的集电区位于被基区包围的网眼部分;所说的光敏三极管的集电区不仅包括通常的位于基区下部的集电区，而且还包括与下部集电区相通的，多个位于被基区包围的网眼部位的暴露于受光面的集电区。
2、根据权利要求1所述的高速硅光敏三极管，其特征在于：发射区由两条以上细条组成。
3、根据权利要求1所述的高速硅光敏三极管，其特征在于：衬底材料选用电阻率为0.4-20Ω-Cm，层厚为6-8μm的N型硅外延片。
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