[其他]门电路断开可控硅

权利要求书

1、门电路断开可控硅包括有：

半导体衬底，它具有第一层，该层暴露在衬底的第一个主表面上且属于第一导电型，第二层邻接于上述第一层且为第二导电型，第三层邻接于上述第二层且暴露在上述衬底的第二个主表面上，该第三层属于第一导电型，第四层邻接于上述第三层也暴露在上述衬底的第二主表面上，该第四层属于第二导电型，以及属于第一导电型的第五层，它设置于上所第一层和第二层之间，具有小于上述第一层的杂质浓度;

第一主电极至少与上述第一层良好导电连接;

第二主电极与上述第四层良好导电连接;

控制极连接于上述第三层，

其特征为：

在上述衬底第一主表面上露出的上述第五层的杂质浓度小于各层中最厚的、用作基区层的上所第二层的杂质浓度，由此，降低了载流子从上述第一层向上述第二层注入的注入效率。

2、根据权利要求1所述门电路断开可控硅，其中第一导电型为P型。

3、根据权利要求1所述门电路断开可控硅，其中上述半导体衬底成磨斜角，使在靠近上述第五层的一条边上，该半导体衬底部分的截面积小于在该衬底靠近上述第三层的一条边上该半导体衬底部分的截面积。

4、根据权利要求1所述的门电路断开可控硅，其中上述第一层具有高于上述第二层的杂质浓度。