[其他]强光离子渗金属装置及其方法在审
| 申请号： | 101985000006757 | 申请日： | 1985-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1004933B | 公开（公告）日： | 1989-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李仲君 | 申请（专利权）人： | 电子工业部工艺研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 电子工业部专利服务中心 | 代理人： | 邱应凤;徐娴 |
| 地址： | 山西省太原市*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强光 离子 金属 装置 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种离子渗金属方法，包括：
（1）在钟罩1内设置有阳极2、阴极座5及偏压环3，工件6被置于阴极座5上
（2）将真空室的真空度抽到1×10-5托后，充入氩气，压力控制在4×10-1-8×10-2托
（3）启动工作电流进行渗镀
其特征在于：
-阴极由阴极座5和桶形靶4构成，工件6被置于桶形靶4中，工件6周围放置有渗入金属碎片7，且工件6与桶形靶4同电位
-阳极2与阴极座5之间的电压为600-1000伏，偏压环3的电压为100-450伏
-渗金属时工件温度控制在900-1050℃。
2、一种离子渗金属装置，其特征在于：在阴极座5上有一个能产生高能量离子区、一面开口的桶形靶4，在桶形靶4内有工件6和渗入金属碎片7，这三者与阴极座5同电位，桶形靶4用渗入金属制成。
3、根据权利要求2所述的装置，其特征在于：桶形靶4呈园形或方形或长方形。
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