[其他]MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法在审
| 申请号： | 101985000007886 | 申请日： | 1985-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN85107886B | 公开（公告）日： | 1988-02-24 |
| 发明（设计）人： | 苗庆海;刘可辛 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 王绪银;杨富贤 |
| 地址： | 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 场效应 晶体管 温度 筛选 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种MOS场效应晶体管的筛选方法，包括：
（1）首先测量待试验晶体管的阈电压VT。
（2）将晶体管的源极和漏极短路，栅极和源极之间施加直流偏压，置于恒温中老化。
（3）保持栅源偏压不变，取出晶体管置于室温中冷却至室温，再去除偏压。
（4）再测量晶体管的阈电压值VT′。
（5）比较阈电压值ΔVT＝｜VT′-VT｜，△VT大的晶体管即为稳定性和可靠性差的晶体管。
其特征在于在所述恒温老化同时，在MOS场效应晶体管的栅极与源漏极之间加直流偏压，而源极与漏极是（相互）短路的。
2、根据权利要求1所说的筛选方法，其特征在于晶体管栅极与源极所加电压为10-25伏（1×106伏/厘米），老化温度为150℃-170℃。
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