[其他]真空断路器用触头在审
| 申请号： | 101985000008080 | 申请日： | 1985-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1003329B | 公开（公告）日： | 1989-02-15 |
| 发明（设计）人： | 纳谷荣造;奥村光弘 | 申请（专利权）人： | 三菱电机有限公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 王树俦 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 断路 器用 | ||
1、一种真空断路器用触头材料，其特征在于当采用熔渗法、完全粉末烧结法和热压法中的任一工艺方法制造时，上述触头材料中各组分的体积百分数分别是：铬（Cr）从1.25到51，钼（Mo）从1.25到51，钽（Ta）从2.5到42，其余部分为铜（Cu）。
2、根据权利要求1所述的触头材料，其特征在于当采用上述熔渗工艺方法制造时，上述触头材料中的体积百分数分别是：铬（Cr）从2到51，钼（Mo）从2到51，钽（Ta）从4到42，其余部分为铜（Cu）。
3、根据权利要求1所述的触头材料，其特征在于当采用完全粉末烧结工艺方法制造时，上述触头材料的体积百分数分别是：铬（Cr）从1.25到34，钼（Mo）从1.25到34，钽（Ta）从2.5到28，其余部分为铜（Cu）。
4、根据权利要求1所述的触头材料，其特征在于当采用热压工艺方法制造时，上述触头材料的体积百分数分别是：铬（Cr）从1.25到34，钼（Mo）从1.25到34，钽（Ta）从2.5到28，其余部分为铜（Cu）。
5、一种真空断路器用触头材料，其特征在于当采用熔渗法，完全粉末烧结法和热压法中的任一工艺方法制造时，上述触头材料中的各组分的体积百分数分别是：铬（Cr）从1.25到51，钼（Mo）从1.25到51，铌（Nb）从2.5到42，其余部分为铜（Cu）。
6、根据权利要求5所述的触头材料，其特征在于当采用熔渗工艺方法制造时，上述触头材料的体积百分数分别是：铬（Cr）从2到51，钼（Mo）从2到51，铌（Nb）从4到42，其余部分为铜（Cu）。
7、根据权利要求5所述的触头材料，其特征在于当采用完全粉末烧结工艺方法制造时，上述触头材料的体积百分数分别是：铬（Cr）从1.25到34，钼（Mo）从1.25到34，铌（Nb）从2.5到28，其余部分为铜（Cu）。
8、根据权利要求5所述的触头材料，其特征在于当采用热压工艺方法制造时，上述触头材料的体积百分数分别是：铬（Cr）从1.25到34，钼（Mo）从1.25到34，铌（Nb）从2.5到28，其余部分为铜（Cu）。
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