[其他]光电板及其制造方法在审
申请号: | 101985000008403 | 申请日: | 1985-10-10 |
公开(公告)号: | CN1003324B | 公开(公告)日: | 1989-02-15 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 杨晓光 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电板 及其 制造 方法 | ||
1、光电板包括一个作为显示板的液晶显示器件和一个作为写入板的光探测器件,其中,液晶显示器件和光探测器件做在第一公共衬底上,液晶显示器件至少有一个液晶显示单元和在电学上与其串联的第一非线性元件,光探测器件至少具有一个光二极管;其特征在于,第一非线性元件是具有第一非单晶半导体迭层部件的第一非单晶半导体二极管,它用于给液晶单元加驱动信号,光二极管是具有第二非单晶半导体迭层部件的第二非单晶半导体二极管,它用于产生对应光强的探测信号,液晶显示器件和光探测器件并排做在第一衬底上,液晶显示器件的一个电极是由与第一衬底相对的位于液晶单元另一侧第二衬底上的对向电极构成。
2、根据权利要求1所述光电板,其特征在于其中第二非单晶半导体迭层部件与第一非单晶半导体迭层部件结构相同;第一衬底是透明的;液晶单元和液晶显示器件的第一非单晶半导体二极管并排做在透明第一衬底上;液晶单元的一个电极是由透明衬底上所形成的第一透明导电层的第一区域形成的;其中第一非单晶半导体二极管的一个电极至少是由第一透明导电层的一个第二区域形成的;其中第二非单晶半导体二极管的一个电极是由在透明第一衬底上所形成的第二透明导电层形成的。
3、根据权利要求2所述光电板,其特征在于其中第一非单晶半导体二极管的第一非单晶半导体迭层部件和第二非单晶半导体二极管的第二非单晶半导体迭层部件是分别由第一和第二非单晶半导体二极管电极上连续延展的非单晶半导体迭层部件的第一和第二区域形成的;第一和第二非单晶半导体二极管的另一电极是分别由第三非单晶半导体迭层上连续延展的第三导电层的第一和第二区域形成的。
4、根据权利要求1所述光电板,其特征在于其中光探测器件还有在电学上与所说光二极管串联的第二非线性元件,第二非线性元件是与第一非单晶半导体迭层部件结构相同的第三非单晶半导体迭层部件;第一衬底是透明的;液晶单元和液晶显示器件的第一非单晶半导体二极管在透明衬底上并排形成;其中第三非单晶半导体迭层部件在第二非单晶半导体迭层部件上形成;其中液晶单元的一个电极由在透明衬底上形成的第一透明导电层的第一区域形成;其中第一非单晶半导体二极管的一个电极由至少第一透明导电层的第二区域形成;其中第二非单晶半导体二极管的一个电极由在透明第一衬底上形成的第二透明导电层形成。
5、根据权利要求4所述光电板,其特征在于其中第一非单晶半导体二极管的第一非单晶半导体迭层部件和第三非单晶半导体二极管的第三非单晶半导体迭层部件分别由在第一非单晶半导体二极管的电极和第二非单晶半导体迭层上连续延展的非单晶半导体迭层部件的第一和第二区域形成;其中第一非单晶半导体二极管的另一电极和第三非单晶半导体二极管的一个电极分别由在第三个非单晶半导体迭层部件上连续延展的第三导电层的第一和第二区域形成。
6、制作光电板的方法,其特征在于包括这些步骤:
(a)、通过在具有绝缘表面的第一衬底上形成以矩阵形式排列的具有第一和第二区域的第一导电层,以及在第一导电层列之间纵向延展的第二导电层而形成第一衬底部件;
(b)在第一衬底部件上,形成在第一导电层的第一区域和第二导电层上连续延展的非单晶半导体迭层部件,它可以是N(或P)-N(或P)-N(或P)、N(或P)-P(或N)-N(或P)、N(或P)-i-P(或N)-i-N(或P)、P(或N)-i-N(或P)结构;
(c)形成在非单晶半导体迭层部件上连续延展的,且与第一导电层的第一区域和第二导电层对置着的第三导电层;
(d)通过在具有绝缘表面的第二衬底上形成对置于第一导电层的第二区域的第四导电层从而形成第二衬底部件;
(e)将第一和第二衬底部件相互平行安置;
(f)在由第一和第二衬底部件限定的空隙间充入液晶。
7、制作光电板的方法,其特征在于包括这些步骤:
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