[其他]液晶显示装置及其制造方法在审
申请号: | 101985000008619 | 申请日: | 1985-10-24 |
公开(公告)号: | CN1005170B | 公开(公告)日: | 1989-09-13 |
发明(设计)人: | 林久雄 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 萧**昌 |
地址: | 日本东京都品*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1、一种液晶显示装置,由一个密封于一对对立电极之间的液晶材料构成的显示单元和一薄膜驱动晶体管组成,后者用来控制所述的对立的两电极间的电压,其特征在于,其中所述薄膜驱动晶体管的一漏极区和连接到所述漏极区的所述电极之一是用同样的多晶硅膜构成的。
2、根据权利要求1中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中该多晶硅膜是在绝缘透明基体上形成的。
3、根据权利要求2中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中所述绝缘透明基体是一石英基体。
4、根据权利要求2中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中所述绝缘透明基体是一玻璃基体。
5、根据权利要求1,或2,或3,或4中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中掺杂到所述薄膜驱动晶体管的所述漏极区中的杂质是和掺杂到所述的一对电极中之所述一个电极的杂质属于相同的导电型的杂质。
6、根据权利要求1,或2,或3,或4中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中所述多晶硅膜是n+型多晶硅膜。
7、根据权利要求1,或2,或3,或4中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中所述多晶硅膜的一部分构成所述对立电极中的所述一个电极至少包含从一组包括氧、氢和碳中的元素之一。
8、根据权利要求1,或2,或3,或4中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中在形成所述对立电极中所述一个电极的多晶硅膜的一部分上形成多个开口。
9、根据权利要求1,或2,或3,或4中所述的液晶显示装置,其特征在于,其中所述多晶硅膜的厚度限定在20~1000A之间的范围内。
10、一种液晶显示装置包括:第一和第二平坦的对立电极;密封于第一和第二电极之间的液晶材料;一个薄膜驱动晶体管用以在带有源极和漏极区的第一和第二电极之间施加电压,其特征在于,所述漏极以整体地用单层多晶硅膜形成的,所述单层多硅膜亦形成所述第一电极。
11、根据权利要求10中所述的液晶显示装置其特征在于,其中所述多晶硅膜是附装到一透明的绝缘基体上。
12、一种制造液晶显示装置的方法,其特征在于,其步骤包括:在一个平坦的绝缘透明基体上形成一多晶硅膜层;在所述多晶硅膜上形成二氧化硅膜;在所述平坦的绝缘基体上形成用于薄膜晶体管的一栅极电极;在所述平坦的绝缘基体上形成用于薄膜晶体管的一源极电极;在所述平坦的绝缘基体上形成多晶硅的一导电层,而所述导电层构成用于薄膜晶体管的一个漏极电极及第一平坦的电极;在一透明板上形成第二平坦的电极;并将所述透明板和所述平坦的绝缘基体及在其间的液晶材料一起密封之。
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