[其他]制造半导体集成电路器件的方法

权利要求书

1、一种制造半导体集成电路器件的方法，它包括：

（a）在半导体基片的主表面上形成每一个N沟道MOS场效应晶体管以及P沟道MOS场效应晶体管的工序，所说N沟道MOS场效应晶体管有N型半导体区域，而所说P沟道MOS场效应晶体管有P型半导体区域;

（b）形成一层用来覆盖所说那些MOS场效应晶体管的第一绝缘薄膜的工序;

（c）形成在所说第一绝缘薄膜内的一些接触孔的工序，所说N和P型半导体的各自区域上至少形成有所说的这些接触孔当中的一个孔;

（d）形成一层用来覆盖所说的基片的所说主表面之一部分的第二绝缘薄膜的工序，所说的主表面的一部分通过所说那些接触孔暴露在外面;

（e）通过所说的接触孔，至少在所说N型半导体区域注入一种N型杂质的离子注入工序，所说的杂质是通过所说第二绝缘薄膜导入所说基片的，其中，注入上述N型杂质而形成的半导体区域比所说的N型半导体区域要深;

（f）除去所说第二绝缘薄膜的步骤;以及

（g）在所说接触孔中形成导电薄膜的步骤。

2、一种根据权利要求1的方法，其中，所说第二绝缘薄膜是一层氧化硅薄膜，所说氧化硅薄膜是通过暴露在外面的所说基片的主表面进行氧化而形成的。

3、一种根据权利要求1的方法，其中，所说N型杂质通过所说那些接触孔以离子注入法注入所说N和P型半导体区域。

4、一种根据权利要求1的方法，其中，以离子注入法注入的所说的N型杂质的剂量低于所说P型半导体区域中P型杂质的浓度。

5、一种根据权利要求1的方法，它进一步包括形成所说离子注入用掩模的工序，所说掩模至少覆盖在所说P型半导体区域上的所说接触孔。

其中，利用所说的掩模来实施所说的离子注入。

6、一种根据权利要求5的方法，其中，所说第二绝缘薄膜是一层氧化硅薄膜，所说氧化硅薄膜是通过把暴露在外面的所说基片的主表面进行氧化而形成的。

7、一种根据权利要求5的方法，其中，所说掩模是由抗蚀剂薄膜所制成。

8、一种根据权利要求5的方法，其中，所说N型杂质为磷。

9、一种根据权利要求5的方法，它进一步包括在所说半导体基片上形成以多晶硅薄膜制成的导线层。

其中，至少在所说导线层之一上形成有所说接触孔。

10、一种根据权利要求9的方法，其中，所说掩模覆盖住除开所说N型半导体区域上所说接触孔以外的部分。

11、一种根据权利要求1的方法制成的产品。

12、一种根据权利要求5的方法制成的产品。

13、一种根据权利要求9的方法制成的产品。