[其他]重掺锑硅单晶的制造方法在审
申请号: | 101986000000854 | 申请日: | 1986-01-16 |
公开(公告)号: | CN86100854B | 公开(公告)日: | 1988-08-31 |
发明(设计)人: | 阙端麟;李立本;陈修治 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人: | 连寿金 |
地址: | 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重掺锑硅单晶 制造 方法 | ||
【权利要求书】:
1、一种重掺锑硅单晶的拉制方法,其特征在于以纯氮作为保护气氛采取减压下熔硅,常压下掺锑,减压下拉晶;熔硅时炉内压力为10~30托,氮气流量为5~40升/分,掺锑时炉内压力为0.9~1.2kg/cm2,拉晶时炉内压力为5~50托,氮气流量为10~30升/分。
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