[其他]浸渍阴极

权利要求书

1、一种浸渍阴极，它是在难熔多孔质基体内浸渍有电子发射材料而形成的，浸渍阴极表面上涂覆有两层薄膜，其特征在于下层是高熔点金属薄膜;上层是含Sc₂O₃的高熔点金属薄膜，并复盖于下层薄膜之上。

2、根据权利要求1所述的浸渍阴极，其特征在于其中所说的高熔点金属薄膜至少是一种选自一组包括W、Mo、Ta、Re、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt的金属。

3、根据权利要求1或2所述的浸渍阴极，其特征在于其中所说的下层薄膜的厚度为10nm至1μm，上层薄膜厚度为10nm至1μm。

4、根据权利要求1所述的浸渍阴极，其特征在于其中所说的高熔点金属是有小孔或裂隙的，而所说的小孔的直径或裂隙宽度是在10nm至2μm范围内。

5、具有权利要求1所述浸渍阴极的电子管，其特征是其浸渍阴极圆片是将电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成，浸渍图片表面上涂覆有两层薄膜：下层是高熔点金属薄膜;上层是含Sc₂O₃的高熔点金属薄膜，并复盖在下层之上。