[其他]电阻—氧化物—半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 101986000001937 | 申请日： | 1986-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN86101937B | 公开（公告）日： | 1988-05-18 |
| 发明（设计）人： | 叶安祚;杨长根 | 申请（专利权）人： | 江西大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 江西省专利服务中心 | 代理人： | 郭毅力;喻尚威 |
| 地址： | 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1、一种电阻-氧化物-半导体场效应晶体管，由一种导电类型的源区（14）和漏区（16）、另一种导电类型的衬底（15）、以及栅极氧化层（13）和栅极电阻层（12）组成，其特征是在栅极电阻层的两端制作两个欧姆接触电极，它们的联线方向与源漏间的联线方向垂直。
2、根据权利要求1所述的场效应管，其特征是栅极电阻层的电阻率为均匀的。
3、根据权利要求1所述的场效应管，其特征是栅极电阻层用多晶硅生长法生成。
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