[其他]半导体汽化冷却装置

权利要求书

1、一种汽化冷却半导体堆的装置，包括含大致为平板状的半导体元件的半导体堆，冷却件及接线导体，含上述半导体堆及液态致冷剂并在半导体堆的上方限定上致冷剂区域、在半导体堆的下方限定下致冷区域的冷却容器，以便允许上述半导体元件由于上述液态致冷剂的沸腾而冷却，其特征在于上述冷却件具有面向上述接线导体的表面，且设有在其表面上面向接线导体开口的小孔，及上述接线导体在上、下致冷剂区域之间设有致冷剂的通道，上述通道的宽度比上述小孔宽且该通道相对于水平作垂直布置，而该水平则由半导体元件，冷却件及接线导体的轴向配置所确定。

2、如权利要求1所述的汽化冷却半导体堆的装置，其特征在于上述通道的宽度至少大于上述小孔的宽度的六倍。

3、如权利要求1所述的汽化冷却半导体堆的装置，其特征在于上述通道构成许多在面向上述冷却件的上述接线导体的表面上的平行缝隙，上述缝隙设置成与水平至少成45度的角度。

4、如权利要求1所述的冷却半导体堆的装置，其特征在于上述通道构成有许多长的平行凹槽，该凹槽设置成与水平至少成45度的角度。

5、如权利要求1所述的冷却半导体堆的装置，其特征在于上述冷却件有许多小的纵向孔及侧向孔。

6、一种汽化冷却半导体堆的装置，包括含大致为平板状的半导体元件的半导体堆，冷却件及接线导体，并配置成相互并排邻接的关系以确定水平方向，及含有放在液态致冷剂中的上述半导体堆、且在半导体堆的上、下方分别限定上、下致冷剂区域的冷却容器，上述半导体元件由于上述液态致冷剂的沸腾而冷却，其特征在于上述冷却件包含由多个单元冷却件所组成的层叠体，每个单元冷却件在其相对侧面上设置有许多平行凹槽，在单元冷却件一侧上延伸的凹槽与该单元冷却件的另一侧的凹槽垂直，在相对的侧面上的上述凹槽其每个凹槽具有的深度能在交叉的凹槽之间建立联系，并从而在上述层叠体上形成许多小内孔，该小内孔在水平方向上延伸并在面向接线导体的上述层叠体的侧面上开口，及上述接线导体在上、下致冷剂区域之间设有液态致冷剂的通道，并与上述小孔相通，上述通道具有的宽度大于小孔的宽度。

7、如权利要求6所述的汽化冷却半导体堆的装置，其特征在于上述通道在宽度上大于上述小孔的宽度的6倍。

8、如权利要求6所述的汽化冷却半导体堆的装置，其特征在于上述垂直通道在宽度上大于上述小孔的宽度的6倍。

9、如权利要求6所述的汽化冷却半导体堆的装置，其特征在于上述通道构成许多长平行凹槽，该凹槽设置成与水平至少成45度的角度。