[其他]有位敏探测器的信息读/写系统在审

专利信息
申请号: 101986000002770 申请日: 1986-04-21
公开(公告)号: CN1006099B 公开(公告)日: 1989-12-13
发明(设计)人: 霍伯雷克斯·阿瑟·玛丽·尤金;诺拉·戴特·简·威廉 申请(专利权)人: 菲利浦光灯制造公司
主分类号: 分类号:
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 程天正
地址: 荷兰艾恩*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有位敏 探测器 信息 系统
【权利要求书】:

1、一种用于在记录载体的辐射反射表面上读取和/或写入信息的系统,包括用以探测在一光学系统中一辐射反射元件和一物镜系统的聚焦面之间的偏离量的聚焦误差探测系统,该聚焦误差探测系统包括一用以确定辐射束的位置的半导体器件,该辐射束入射到一配备以至少两个辐射灵敏二极管的辐射灵敏半导体本体的主表面上,该两个辐射灵敏二极管与该半导体本体的相邻部份形成整流结,并配备以电接线以引出由入射辐射线所产生的电流,其特征在于:在工作条件下,至少在二极管间有一高欧姆电阻区电流通道,这器件还配备以一个调整线路,该线路使和二极管相关的整流结可用这样相对差值进行偏置,与辐射束入射于二极管间之主表面上的位置无关地使所产生的通过该两个二极管的电流实际上相等。

2、按照权利要求1所述的系统,其特征在于:所述半导体器件的所述辐射灵敏二极管至少由两个第一类电导型半导体区构成,它们与半导体本体中相邻部分构成一个pn结。

3、根据权利要求1或2所述的系统,其特征在于:所述半导体器件的所述高欧姆电阻区是第一类电导型并与半导体本体中的相邻部分构成一个pn结。

4、根据权利要求3所述的系统,其特征在于:其中所述半导体器件的所述高欧姆电阻区由位于介质层上并加以一适当的电位的门电极构成。

5、根据权利要求4所述的系统,其特征在于:其中所述半导体器件的所述辐射灵敏二极管间的相对距离是辐射束宽度的几倍。

6、根据权利要求5所述的系统,其特征在于:所述半导体器件中的半导体本体还至少配有两个与第一类电导型相反的第二类电导型半导体区,该第二类导电型半导体区有一些电接线用以消散由入射束产生的电流,在此第二类电导型半导体区之间也有一个高欧姆电阻区,而且该器件还配有一个调整线路,用该线路可使第二类电导型半导体区用这样相对差值进行调整,与辐射束照射在主表面上的地点无关地使通过第二类电导型半导体区的电流实际上是相等的。

7、根据权利要求6所述的系统,其特征在于:所述半导体器件中配备的调整线路所提供的输出信号和通过半导体区的电流值有关。

8、根据权利要求6所述的系统,其特征在于:其中所述半导体器件的入射辐射区域内,第一类电导型半导体区之间的连线和第二类电导型半导体区之间的连线实际上成直角。

9、根据权利要求6所述的系统,其特征在于:其中所述半导体器件的第二类电导型半导体区和高欧姆电阻区至少与半导体本体中相邻部分构成一个pn结。

10、根据权利要求1所述的系统,其特征在于,在光电子聚焦误差探测系统中在辐射反射元件反射回来的辐射光路中,由分束元件分成的两个支束入射到两个位于第一导电型的半导体区之间的第一导电型的高欧姆区,而调整线路的输出联到一个电子线路的输入端,在该电子线路中由这两个输出端产生的信号给出聚焦误差。

11、根据权利要求10所述的系统,其特征在于:至少有一个第一类电导型半导体区公用于相邻的两个第一类电导型高欧姆电阻区。

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