[其他]利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻

权利要求书

1、用气体混合物形成的等离子体刻蚀硅半导体材料的方法的改进，这种改进包括：

由含有CHF₃和SF₆的二组份混合物形成等离子体，CHF₂的含量大于SF₆的含量，

从而实现定向刻蚀。

2、按权利要求1的改进，其中CHF₃含量大约为SF₆含量的4倍。

3、按权利要求1的改进，其中等离子体是在射频能量约600瓦时形成的。

4、对硅半导体材料等离子体刻蚀的改进方法，此方法包括：

在上述硅表面形成一层光刻胶;

在光刻胶上确定窗口以暴露出硅表面预先确定的区域;

把SF₆和CHF₃气体混合物引向硅片;

把电能施加到气体混合物上以形成等离子体;

用上述等离子体刻蚀硅到所要求的深度;

从而上述硅片便被定向刻蚀。

5、按权利要求4的方法，其中气体混合物约含有80%CHF₃和20%SF₆。

6、按权利要求4的方法，其中电能约有600瓦。

7、按权利要求4的方法，其中气体混合物以约125SCCm速率引向硅片。

8、按权利要求4的方法，其中定向度依赖于气体混合物中CHF₃的百分比。