[其他]具有能在集成电路中集成的霍耳元件的装置

权利要求书

1、具有一个可在一个集成电路中集成的霍尔元件的装置，该霍尔元件具有两个传感器引线接触头和至少两个电流引线接触头。这些引线接触头排列在霍尔元件的表面，其中，至少在霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕和霍尔元件〔22〕的表面之间配置着一个阻挡层〔11或者12、7〕，该阻挡层从上面覆盖着霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕，其特征在于：在霍尔元件〔22〕表面上形成一薄层，该薄层是导电类型为P型的材料，它和霍尔元件〔22〕有源区〔7〕的导电类型正好相反，该薄层具有对环的连接头〔R〕的电接触，而环连接头〔R〕形成霍尔元件〔22〕的一个控制输入端〔M〕。

2、按照权利要求1的装置，其特征在于：阻挡层〔12，7〕是由在霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕与在霍尔元件〔22〕表面上形成的薄层〔12〕之间的交界层形成的，该薄层〔12〕从上面覆盖着有源区〔7〕。

3、按照权利要求1的装置，其特征在于：霍尔元件〔22〕的输出端〔S1〕通过一个调节电路〔24、25、26、27〕和霍尔元件〔22〕控制阻挡层〔11或者12、7〕厚度的控制输入端〔M〕相连接。

4、按照权利要求3的装置，其特征在于：调节电路〔24、25、26、27〕至少由一个实际值整形器〔24〕，一个额定值发生器〔25〕和一个额定值/实测值一微分器〔26、27〕组成。

5、按照权利要求4的装置，其特征在于：实际值整形器〔24〕是一个绝对值形成器。

6、按照权利要求5的装置，其特征在于：实际值整形器〔24〕至少由一个被控制装置〔28〕控制的转换开关〔29〕和一个反相放大器〔30〕组成。

7、按照权利要求6的装置，其特征在于：控制装置〔28〕由一个比较器组成。

8、按照权利要求5的装置，其特征在于：实际值整形器〔24〕由一个整流器组成。

9、按照权利要求4的装置，其特征在于：额定值发生器〔25〕是由一个前置电阻〔R′〕和一个场效应晶体管〔32〕的源-漏区构成的串联电路组成。

10、按照权利要求4的装置，其特征在于：额定值/实际值-微分器〔26、27〕至少由一个差分放大器〔26〕组成。

11、按照权利要求10的装置，其特征在于：差分放大器〔26〕具有两个实际值输入端〔E₁、E₄〕，其中第一个〔E₁〕与实际值整形器〔24〕的输出端相连接，而另一个〔E₄〕与实际值整形器〔24〕的输入端相连接。

12、按照权利要求11的装置，其特征在于：差分放大器〔26〕是作为反相放大器而布置的，并且和它串联了另一个反相放大器〔27〕。

13、按照权利要求1的装置，其中，阻挡层〔11〕是由一个耗尽区形成的，该耗尽区是借助一个电压，通过静电感应产生的，该电压是通过控制门连接头〔G〕施加到导电的控制层〔10〕上的，控制层〔10〕通过在霍尔元件〔22〕表面上的一层氧化层〔9〕而被隔离了，这样，控制层〔10〕以及耗尽层从上面覆盖着霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕;其特征在于：环〔8〕由霍尔元件〔22〕表面上的薄层构成，它至少在侧面围绕着霍尔元件〔22〕的有源区〔7〕，并且具有连接头〔R〕。