[其他]线性厚膜负温度系数热敏电阻器在审
申请号: | 101986000008011 | 申请日: | 1986-11-15 |
公开(公告)号: | CN86108011B | 公开(公告)日: | 1988-10-26 |
发明(设计)人: | 熊世英 | 申请(专利权)人: | 国营宏明无线电器材厂 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 成都科奥专利事务所 | 代理人: | 袪溶兰 |
地址: | 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 厚膜负 温度 系数 热敏 电阻器 | ||
在同一块瓷基片的两面,分别印刷两个特性不同的热敏电阻,两个热敏电阻串联成为负温度系数热敏电阻,印刷第一个热敏电阻的浆料为CoMnNi热敏基料、RuO2、Ag粉导电玻璃、粘合剂玻璃、导电玻璃中RuO2的含量占15~25%、Ag粉的含量占RuO2量的10~30%(重量比),阻值比为R25/R50=1.22±2%。第二个热敏电阻的浆料由MnCoCu热敏基料、RuO2、Ag粉导电玻璃、玻璃粘合剂组成,导电玻璃中、RuO2/Ag=1(重量比)配制成B=34006k±2%的浆料,两个热敏电阻互补正配成与线性方程相比,非线性偏离<±1%的热敏电阻。
本发明的技术领域是厚膜负温度系数热敏电阻器。
一般的厚膜热敏电阻其阻值-温度特性曲线是指数规律变化,即RT=RTOEXP〔B(1/T-1/To)〕其中
RT:热敏电阻温度为T(K)时的电阻值。
RTo:热敏电阻温度为To=298.15K时的电阻值。
B:热敏电阻的材料常数。
为使RT-T特性近似于线性变化,B值必须控制在200K以下,这必然导致TCR明显降低。例如,当B=38°K时,非线性偏离度ε≤±1%,但TCR≈-4×10-4/°K,这是普通碳膜电阻都能达到的。当B=160°K时,TCR约为-1.8×10-3/°K,但线性温区只有-10~+10℃的范围,因此,单纯从降低热敏电阻常数的角度制造线性热敏电阻并非良策。
日本特许公开昭57-208105采用SnO2-TiO2-RuO2浆料研制了一系列B<500K的配方,但仍是指数特性,非线性偏离度ε≤±1%的温区只有-10~+10℃,公开特许公报昭58-2001采用重量百分比为30~90%的尖金石或金红石结构的氧化物和重量百分比为2~70%的含有5~60%的氧化钌(RuO2)玻璃粉末所制成的厚膜热敏电阻配方,其B约为2700°K左右,也是非线性的。综上所述,厚膜热敏电阻的线性化是一个长期未解决的技术难题。
本发明的目的在于提供一种非线性偏离度小、线性范围宽、又不降低始温度系数(a1)的厚膜热敏电阻器。
本发明的特点是在同一瓷基片上印刷两个特性不同的热敏电阻器将两个热敏电阻串联组配,使非线性偏离度减小。
本发明包括第一个热敏电阻M1和第二个热敏电阻M2,两个热敏电阻都是负温度系数的。将第一个热敏电阻M1与第二个热敏电阻M2串联。M1与M2串联时,合成电阻值RM为两个热敏电阻电阻值之和。
RM=RM1+RM2
其中RM:合成电阻器的电阻值。
RM1:第一个热敏电阻M1的零功率电阻值或实际阻值。
RM2:第二个热敏电阻M2的零功率电阻值或实际阻值。
M1是亚线性的,M2是线性的,RM1>>RM2
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