[其他]一种含硼铜基厚膜导体在审
| 申请号： | 101987000001846 | 申请日： | 1987-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN87101846B | 公开（公告）日： | 1988-06-29 |
| 发明（设计）人： | 谭富彬;赵玲 | 申请（专利权）人： | 中国有色金属工业总公司昆明贵金属研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 云南省专利事务所 | 代理人： | 何通培 |
| 地址： | 云南省昆明*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含硼铜基厚膜 导体 | ||
【权利要求书】：
1、一种含硼铜基厚膜导体，由金属粉末和玻璃料的混合物组成，所说的金属粉末和玻璃料在所说的混合物中的含量分别为85～97Wt.%和3～5Wt.%，所说的玻璃料的成分为（Wt.%）：SiO27.0～69.5，CaO0～6.0，BaO0～5.0，Al2O30.5～3.0，MgO0～3.0，Na2O0～15.0，K2O0～4.0，Co2O30～1.0，PbO0～82.5，ZnO0～7.0，本发明的特征是，所说的金属粉末是一种含硼的铜基合金粉末，其成分为（Wt.%）：B2～15，Al0.1～0.8，Zn0.1～1.2，Cu余量。
2、根据权利要求1的厚膜导体，其特征是，所说的铜基合金化学组成为（Wt.%）：B5～10，Al0.1～0.3，Zn0.2～0.5，Cu余量。
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