[其他]非晶硅光位置敏感器件在审
| 申请号： | 101987000005565 | 申请日： | 1987-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1003901B | 公开（公告）日： | 1989-04-12 |
| 发明（设计）人： | 苏子敏;彭少麒 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中山大学专利事务所 | 代理人： | 叶贤京;蔡茂略 |
| 地址： | 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅光 位置 敏感 器件 | ||
【权利要求书】：
1、一种由半导体芯片和配置在所说的半导体芯片光敏表面上四个边侧的四个电极构成的光位置敏感器件，所说的四个电极由铝、金、铬等金属材料制成，且两两相对而组成相互垂直的两组，其特征在于，所说的半导体芯片是一种由P型单晶硅基片和淀积于该基片之上的本征氢化非晶硅构成的异质结i-a-Si∶H/P-C-Si。
2、根据权利要求1所述的光位置敏感器件，其特征在于，所说的半导体芯片是一种由制备在玻璃平片上的重掺杂P型非晶硅层和淀积于重掺杂层之上的本征氢化非晶硅层构成的单质结i-a-SiH∶/N+-a-Si∶H。
3、根据权利要求1所述的光位置敏感器件其特征在于，所说的半导体芯片是一种由制备在玻璃平片上的重掺杂N型非晶硅层和淀积于重掺杂层之上的本征氢化非晶硅层构成的单质结i-a-Si∶H/P+-a-Si∶H。
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