[其他]压接触GTO-可控硅整流器在审
申请号: | 101987000005600 | 申请日: | 1987-07-30 |
公开(公告)号: | CN1003203B | 公开(公告)日: | 1989-02-01 |
发明(设计)人: | 安德烈·杰克林;蒂博尔·帕科西;沃尔夫冈·齐默曼 | 申请(专利权)人: | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
主分类号: | 分类号: | ||
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 吴秉芬 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 gto 可控 硅整流器 | ||
1、压接触GTO-可控硅整流器,包括
a)一个安装在阴极面同阳极面之间,具有各种不同掺杂层的半导体片(2),
b)所述半导体片(2)至少在阴极面处做成台面形,并具有由多个凸起的阴极凸台(7)的栅极-阴极结构,这些阴极凸台被深处的栅极区包围,以及
c)半导体片(2)在其阴极凸台(7)上总是复盖着一层金属化阴极层(6),阳极面处总是复盖着一层金属化阳极层;并带有
d)一个阴极面的片形压接件和一个阳极面的片形压接件(1、3),这些片形压接件被压在阴极层及阳极层上,以实现接触连接,其特征在于
e)压接件(1,3)与半导体片(2)的压力荷载接触面上的平面偏差小于±5微米,和
f)压接件(1,3)相互对准,以使它们中心轴之间的相互偏差小于500微米。
2、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器,其特征在于,阳极面是平的,并且至少要使阳极面的压接件(3)在面向半导体(2)的那面上在其边缘处被削平或锉园。
3、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器,其特征在于,压接件(1,3)用钼或钨制成。
4、按照权利要求3的压接触GTO-可控硅整流器,其特征在于,压接件(1,3)与半导体片(2)的平面偏差小于±1微米。
5、按照权利要求4的压接触GTO-可控硅整流器,其特征在于,压接件(1,3)中心轴之间的相互偏差小于100微米。
6、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器,其特征在于,压接件(1,3)的直径大于20毫米。
7、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器,其特征在于
a)阴极凸台(7)的宽度大于0.1毫米,
b)阴极凸台(7)的长度大于1毫米,
c)阴极凸台(7)之间沟深度在5至50微米之间,和
d)阴极凸台(7)的数量大于100。
8、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器,其特征在于阴极面压接件(1)的直径要如此之大,至使压接件的边界超出阴极凸台(7)。
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