[其他]压接触ＧＴＯ－可控硅整流器

权利要求书

1、压接触GTO-可控硅整流器，包括

a）一个安装在阴极面同阳极面之间，具有各种不同掺杂层的半导体片（2），

b）所述半导体片（2）至少在阴极面处做成台面形，并具有由多个凸起的阴极凸台（7）的栅极-阴极结构，这些阴极凸台被深处的栅极区包围，以及

c）半导体片（2）在其阴极凸台（7）上总是复盖着一层金属化阴极层（6），阳极面处总是复盖着一层金属化阳极层;并带有

d）一个阴极面的片形压接件和一个阳极面的片形压接件（1、3），这些片形压接件被压在阴极层及阳极层上，以实现接触连接，其特征在于

e）压接件（1，3）与半导体片（2）的压力荷载接触面上的平面偏差小于±5微米，和

f）压接件（1，3）相互对准，以使它们中心轴之间的相互偏差小于500微米。

2、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器，其特征在于，阳极面是平的，并且至少要使阳极面的压接件（3）在面向半导体（2）的那面上在其边缘处被削平或锉园。

3、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器，其特征在于，压接件（1，3）用钼或钨制成。

4、按照权利要求3的压接触GTO-可控硅整流器，其特征在于，压接件（1，3）与半导体片（2）的平面偏差小于±1微米。

5、按照权利要求4的压接触GTO-可控硅整流器，其特征在于，压接件（1，3）中心轴之间的相互偏差小于100微米。

6、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器，其特征在于，压接件（1，3）的直径大于20毫米。

7、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器，其特征在于

a）阴极凸台（7）的宽度大于0.1毫米，

b）阴极凸台（7）的长度大于1毫米，

c）阴极凸台（7）之间沟深度在5至50微米之间，和

d）阴极凸台（7）的数量大于100。

8、按照权利要求1的压接触GTO-可控硅整流器，其特征在于阴极面压接件（1）的直径要如此之大，至使压接件的边界超出阴极凸台（7）。