[其他]半导体直接键合的表面处理方法在审
| 申请号： | 101987000005937 | 申请日： | 1987-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1003900B | 公开（公告）日： | 1989-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吕世骥;阮宝崧;郭跃华;蔡跃明;陆明莹 | 申请（专利权）人： | 南京工学院 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 南京工学院专利事务所 | 代理人： | 楼高潮;陆志斌 |
| 地址： | 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 直接 表面 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1、用于半导体片直接键合的表面处理方法，其特征在于将清洗好的半导体片置于利用直流、直流弧、交流、高频或微波方法激发产生的等离子体中进行表面处理，处理温度为室温至1300℃，等离子体为O2、H2、N2、HN3、H2O或以10∶1～1∶10的比例混合的气体，处理时间为5～40分钟。
2、根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于处理温度最好控制在500～1000℃。
3、根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于所处理的半导体片可以是本征型，也可以是掺杂型（N型或P型），还可以是在表面已生长绝缘层的半导体片。
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