[其他]在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法

权利要求书

1、一种在半导体功率元件的半导体薄片（5）边缘上开环形槽（8）的方法，该方法是靠机械磨削将槽刻在半导体薄片（5）上，首先，表面磨削半导体薄片（5）的边缘;然后，采用边缘相应制成一定轮廓的成形砂轮（3）一次操作磨削出沟槽，其特征在于，在磨削半导体薄片（5）表面的过程中，

甲）第一步先用粗磨砂轮（1）磨除多余的半导体材料，

乙）第二步再用精磨砂轮（2）精磨已形成的边缘表面。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

甲）全部磨削操作均使用金刚石砂轮;且

乙）在磨削操作过程中采用加有防锈剂的水作为冷却剂。

3、根据权利要求2所述的方法，其特征在于，磨削操作是以35米/秒的磨削速率进行的。

4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

甲）在磨削过程中，半导体薄片（5）以相反于砂轮（1，2，3）的转向转动;和

乙）半导体薄片（5）的转速约为80转/分。

5、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在表面磨削过程中，半导体薄片（5）超出各砂轮（1，2）的边缘平行于转轴作往复运动。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，半导体薄片（5）朝砂轮进给的速率，在粗磨时约为3毫米/分，在精磨时约为1毫米/分。

7、为执行权利要求1所述方法的设备，其特征在于，

甲）粗磨砂轮（1）和成形砂轮（3）的金刚砂粒以金属结合剂结合;

乙）将精磨砂轮（2）的金刚砂粒嵌入合成结合剂中。

8、根据权利要求7所述的设备，其特征在于，

甲）所有砂轮上金刚砂粒的浓度约为4.4克拉/立方厘米;

乙）粗磨砂轮（1）含25微米平均粒径的金刚砂粒，精磨砂轮（2）含20微米平均粒径的金刚砂粒，成形砂轮则含16微米平均粒径的金刚砂粒。

9、根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所有砂轮（1，2，3）都配置在一公共砂轮轴（4）上。