[其他]一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法

权利要求书

1、一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，包括外加磁场为1000～5000高斯，坩埚转速为5～20转/分，坩埚内多晶投料量为20～60千克，晶体转速为10～30转/分，拉速为0.8～1.5毫米/分，晶体直径为2″～6″，其特征在于：采用99.99%以上的氮或者99.99%以上的氩-氮混合气对硅作气相掺氮，炉内气体压力为5～80托，气体流量为4～16米³/小时。

2、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于：炉内气体压力的最佳值为15～25托。

3、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于：拉制直径为3″硅单晶时，气体流量为4～6米³/小时。

4、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于：拉制直径为4″硅单晶时，气体流量为5～8米³/小时。

5、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于：拉制直径为5″硅单晶时，气体流量为7～10米³/小时。

6、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于：拉制直径为6″硅单晶时，气体流量为9～12米³/小时。

7、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于：采用氩-氮混合气作为掺氮气体，其中氩气成分为2～10%，氮气成分为98～90%。