[其他]专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源

权利要求书

1、一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源，包括水冷器、磁场源、阴极靶及屏蔽罩，其特征在于：

-水冷器由水冷套2及水冷背板构成，水冷器内设置有一个或多个加强筋3;

-磁场源包括两个相平行的外磁组件Ⅰa、Ⅰb及两个或多个内磁组件Ⅱa/Ⅱb，其中外磁组件设置于水冷器2的外侧，内磁组件设置于水冷器2的内部并被加强筋3所分隔;

-内磁组件呈一字排列，垂直于外磁组件并能沿平行于外磁组件Ⅰa/Ⅰb的方向作往复运动;

-阴极靶11设置于水冷背板9上，当内磁组件运动时靶板的各部份依次受到等离子环的扫描刻蚀。

2、根据权利要求1所述的溅射源，其特征在于所述的外磁组件Ⅰa/Ⅰb各含有一个下极靴12a/12b，外磁钢13a/13b，及上极靴14a/14b，它们依次叠加在水冷套2左右侧的延伸部上，且磁钢13a与13b的极性相同。

3、根据权利要求1所述的溅射源，其特征在于所述的内磁组件Ⅱa/Ⅱb各含有一个下极靴5a/5b，三个相互平行等间隔地布置在下极靴5a/5b上的磁钢6a、7a、8a/6b、7b、8b，磁钢7a、7b的极性与其他各磁钢的极性相反。

4、根据权利要求3所述的溅射源，其特征在于每一个内磁组件上端及其四周与相邻的其他零件之间留有1～2mm的间隙。

5、根据权利要求2和3所述的溅射源，其特征在于下极靴5a、5b、12a、12b的厚度相同，且布置在同一个水平面上。