[发明专利]一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法有效
| 申请号： | 200310103424.2 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1540768A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;陈文新;张志宽;黄如;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 漏下 超薄 soimos 晶体管 及其 集成电路 制作方法 | ||
【权利要求书】：
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