[发明专利]由多重沉积和氧化步骤生成间隙层的磁阻传感器结构的生成方法无效
| 申请号： | 200310116309.9 | 申请日： | 2003-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1519816A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 穆斯塔法·皮那巴塞 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多重 沉积 氧化 步骤 生成 间隙 磁阻 传感器 结构 方法 | ||
【说明书】：
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