[发明专利]双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法无效
| 申请号： | 200410009990.1 | 申请日： | 2004-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1787229A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双异质 结构 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【权利要求书】：
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