[发明专利]熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺无效
| 申请号： | 200410019454.X | 申请日： | 2004-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1584131A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 孙军;孔勇发;张玲;许京军;阎文博;黄自恒;刘士国;李兵;陈绍林;李剑韬 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/30 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 解松凡 |
| 地址： | 3000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 注入 生长 化学 铌酸锂 晶体 系统 及其 工艺 | ||
【说明书】：
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