[发明专利]溅射法在硅基片上制备高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200410033686.0 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1564336A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 毕晓昉;杨柏;宫声凯;徐惠彬 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;C23C14/34;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 赵文利 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 硅基片上 制备 磁电 效应 纳米 多层 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200410033686.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
