[发明专利]高击穿电压的高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 200410046387.0 | 申请日： | 2004-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1707807A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 徐晓华;倪海桥;牛智川;贺正宏;王建林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/778;H01L29/80 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 电子 迁移率 晶体管 | ||
【说明书】：
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