[发明专利]具有凸起的结区域的PMOS晶体管应变最优化有效
| 申请号： | 200410050187.2 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1577890A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 马克·T·伯尔;塔希尔·加尼;斯蒂芬·塞亚;凯扎德·米斯特里;克里斯托弗·P·奥特;马克·阿姆斯特朗;基恩·E·扎瓦兹基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 凸起 区域 pmos 晶体管 应变 优化 | ||
【权利要求书】：
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