[发明专利]图形制造系统、曝光装置及曝光方法无效
| 申请号： | 200410058860.7 | 申请日： | 2004-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1580950A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 森田清辉;菅沼敦;中谷大辅;泽野充 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/26;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 制造 系统 曝光 装置 方法 | ||
【说明书】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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