[发明专利]应变沟道半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200410070875.5 | 申请日： | 2004-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1725506A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 林俊杰;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 沟道 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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