[发明专利]制造高迁移率场效应晶体管的结构和方法有效
| 申请号： | 200410085064.2 | 申请日： | 2004-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1607677A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杰克·O·楚;史蒂文·J·科尔斯特;欧阳齐庆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 迁移率 场效应 晶体管 结构 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200410085064.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：驾驶员确认系统
- 下一篇：在天线中夹紧电缆的装置和方法
- 同类专利
- 专利分类
