[发明专利]为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件有效
| 申请号： | 200410085542.X | 申请日： | 2004-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN1610129A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | K·汉森;R·C·休德纽 | 申请（专利权）人： | IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 火惠颖 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高级 mis 半导体器件 形成 凹槽 绝缘 方法 获得 器件 | ||
【说明书】：
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