[发明专利]具有导电穿透通道的硅芯片载体及其制造方法有效
| 申请号： | 200410090600.8 | 申请日： | 2004-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1684256A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·查尔斯·艾德尔斯坦;保罗·斯蒂芬·安德雷;利纳·帕维基·布奇沃尔特;约翰·阿尔弗雷德·卡塞;谢里夫·A·高马;雷蒙德·R·霍尔顿;加雷斯·杰奥弗雷·修加姆;迈克尔·怀恩·雷恩;刘小虎;奇拉克·苏利亚康特·帕特尔;埃德蒙德·尤利斯·斯普罗吉斯;迈克雷·雷格·斯廷;布赖恩·理查德·桑德罗夫;曾康怡;乔治·弗雷德里克·沃克尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/14;H01L23/48;H01L21/02;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 导电 穿透 通道 芯片 载体 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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