[发明专利]半导体发光元件及其制法,集成半导体发光元件及其制法,图像显示装置及其制法,照明装置及其制法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

第一导电型的半导体层，形成在衬底的主面上并包括凸起晶体部分，所述凸起晶体部分具有倾斜晶面，该倾斜晶面由多个以不同倾角由主面倾斜的晶面组成以在整体上表现为凸面；

至少一个有源层和一个第二导电型的半导体层，至少在晶体部分的倾斜晶面上被顺序层叠；

第一电极，与第一导电型的半导体层电连接；以及

第二电极，形成在晶体部分上面的第二导电型的半导体层上，并与所述第二导电型的半导体层电连接。

2.根据权利要求1的半导体发光元件，其中晶体部分具有纤锌矿晶体结构。

3.根据权利要求1的半导体发光元件，其中晶体部分由氮化物III-V族化合物半导体制成。

4.根据权利要求1的半导体发光元件，其中第一导电型的半导体层、有源层和第二导电型的半导体层由氮化物III-V族化合物半导体制成。

5.根据权利要求2的半导体发光元件，其中构成倾斜晶面的晶面为S取向面。

6.根据权利要求2的半导体发光元件，其中从晶体部分的底部朝向其顶点，构成倾斜晶面的晶面的倾角逐渐变小。

7.根据权利要求6的半导体发光元件，其中在构成倾斜晶面的多个晶面中包括顶点在内的晶面的倾角在由60度至65度的范围内。

8.根据权利要求1的半导体发光元件，其中晶体部分为尖顶形

9.根据权利要求1的半导体发光元件，其中晶体部分为六边尖顶构造。

10.根据权利要求1的半导体发光元件，其中晶体部分在沿平行于主面的方向上延长。

11.一种制造半导体发光元件的方法，该元件具有：第一导电型的半导体层，形成在衬底的主面上并包括凸起晶体部分，凸起晶体部分具有倾斜晶面，倾斜晶面由多个以不同倾角由主面倾斜的晶面组成以在整体上表现为凸面；至少一个有源层和一个第二导电型的半导体层，至少在晶体部分的倾斜晶面上被顺序层叠；第一电极，与第一导电型的半导体层电连接；以及第二电极，形成在晶体部分上面的第二导电型的半导体层上，并与第二导电型的半导体层电连接，该方法包括：

在衬底上生长第一导电型的第一半导体层的步骤；

在第一半导体层上形成在预定位置处具有开口的生长掩模的步骤；

在穿过生长掩模的开口露出的第一半导体层上选择性生长第一导电型的第二半导体层的步骤；以及

顺序生长至少所述有源层和第二导电型的半导体层从而覆盖第二半导体层的步骤。

12.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中生长掩模由氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中之一或它们的叠层制成。

13.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中至少生长掩模的表面由氮化硅制成。

14.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中生长掩模中开口的尺寸在2μm至13μm的范围内。

15.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中晶体部分具有纤锌矿晶体结构。

16.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中晶体部分由氮化物III-V族化合物半导体制成。

17.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中第一导电型的半导体层、第一半导体层、第二半导体层、有源层和第二导电型的半导体层由氮化物III-V族化合物半导体制成

18.根据权利要求14的制造半导体发光元件的方法，其中构成倾斜晶面的晶面为S取向面。

19.根据权利要求15的制造半导体发光元件的方法，其中构成倾斜晶面的晶面之倾角由晶体部分的底部朝向其顶点逐渐变小。

20.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中晶体部分为尖顶形。

21.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中晶体部分为六边尖顶构造。

22.根据权利要求11的制造半导体发光元件的方法，其中晶体部分在沿平行于主面的方向延长。