[发明专利]具有基于非陶瓷的窗口框架的半导体封装有效
申请号: | 200480003576.8 | 申请日: | 2004-01-09 |
公开(公告)号: | CN101080800A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 杰弗里·维尼加斯;保罗·加兰;乔舒亚·洛布辛格;琳达·卢 | 申请(专利权)人: | 基奥塞拉美国股份有限公司 |
主分类号: | H01J29/80 | 分类号: | H01J29/80;H01K5/00;H05K3/34;H05K7/20;H05K3/30;H01L23/02;H01L23/043;G02B6/00;G02B6/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 基于 陶瓷 窗口 框架 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:热沉法兰盘;非陶瓷基材料的窗口框架,安 装在所述热沉法兰盘上;以及引线,安装于所述窗口框架上,其中,所述窗 口框架由聚四氟乙烯基体制成,所述聚四氟乙烯基体填充了纤维并且具有金 属包层,其中采用镍和/或金对所述金属包层镀覆,并采用了硬焊/软焊/粘合 材料将所述窗口框架焊接到所述法兰盘和引线上。
2.如权利要求1所述的半导体封装,其中,用铜包覆所述窗口框架,并 且所述法兰盘和引线中的至少一个包括窗口框架的部分铜包层。
3.如权利要求1所述的半导体封装,其中,所述窗口采用金/锗焊料接合 到所述法兰盘,所述金/锗焊料具有指定熔解温度,所述半导体封装还包括采 用金/锡混合物接合到所述法兰盘上的管芯,所述金/锡混合物的熔解温度低 于所述金/锗焊料的指定熔解温度。
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