[发明专利]低电压NMOS基静电放电箝位电路有效
| 申请号： | 200480003835.7 | 申请日： | 2004-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1748309A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·贝尔德;理查德·T·艾达;詹姆斯·D·怀特菲尔德;许洪忠;索潘·乔施 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 nmos 静电 放电 箝位 电路 | ||
【权利要求书】：
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