[发明专利]多管芯半导体封装有效

专利信息
申请号: 200480004901.2 申请日: 2004-02-04
公开(公告)号: CN101416310A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 马克·A·格伯;达埃Y·洪;苏赫拉布·萨法伊 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/24;H01L23/22;H01L23/52;H01L23/02;H01L29/40;H01L23/48
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 黄启行;谢丽娜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 管芯 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,其包括:

具有顶电接触面和底电接触面的电互连框架,顶电接触面平行于底电接触面并且从底电接触面偏移,顶电接触面和底电接触面每个都具有顶表面和底表面,

附着在顶电接触面的顶表面的第一集成电路管芯;

附着在顶电接触面的底表面的第二集成电路管芯;

具有连接到第二集成电路管芯上的焊盘的第一端和具有连接到顶电接触面的焊盘的底表面的第二端的导体;以及

具有连接到第一集成电路管芯上的焊盘的第一端和具有连接到底电接触面的焊盘的顶表面的第二端的第一引线。

2.根据权利要求1的半导体封装,还包括具有连接到第一集成电路管芯上的第二焊盘的第一端和具有连接到顶电接触面的焊盘的顶表面的第二端的第二引线。

3.根据权利要求1的半导体封装,其中所述导体的特征在于是回流焊料。

4.根据权利要求1的半导体封装,其中第一集成电路管芯的有效表面距离第二集成电路管芯的有效表面为0.5毫米或更大。

5.根据权利要求1的半导体封装,其中第一集成电路管芯、第二集成电路管芯以及至少一部分电互连框架被非导电密封材料所密封。

6.根据权利要求1的半导体封装,其中所述电连接框架还包括内嵌结构,该内嵌结构包括位于顶电接触面中的顶部和位于底电接触面中的底部,其中所述导体的第二端连接到所述顶部的底表面。

7.一种半导体封装,其包括:

金属电互连框架,该金属互连框架包括具有第一多个焊盘的平坦的顶电接触面且包括具有第二多个焊盘的平坦的底电接触面,顶电接触面平行于底电接触面并且从底电接触面偏移,顶电接触面和底电接触面二者都具有顶表面和底表面;

具有顶表面和底表面的第一集成电路管芯,第一集成电路管芯的底表面附着在顶电接触面的顶表面,第一集成电路管芯的顶表面具有线焊到第二多个焊盘的多个焊盘;以及

具有顶表面和底表面的第二集成电路管芯,第二集成电路管芯的底表面附着到顶电接触面的底表面,第二集成电路管芯的顶表面具有线焊到第一多个焊盘的多个焊盘。

8.根据权利要求7的半导体封装,其中第一集成电路管芯包括数字电路并且第二集成电路管芯包括模拟电路。

9.一种制造半导体封装的方法,其包括:

提供互连框架;

将预定图案腐蚀到所述互连框架的至少一部分中;

在所述互连框架中形成顶接触面和底接触面,顶接触面从底接触面偏移并且平行于底接触面;

首先将第一集成电路管芯附着到顶接触面的底表面;

将第一集成电路管芯电耦合到顶接触面的焊盘的底表面;

将第二集成电路管芯附着在顶接触面的顶表面;以及

将第二集成电路管芯线焊到底接触面的焊盘。

10.根据权利要求9的方法,其中:

在互连框架中形成顶接触面和底接触面还包括在框架中形成多个内嵌结构,所述多个内嵌结构中的每个内嵌结构具有位于顶接触面中的上部和位于底接触面中的底部;

将第一集成电路管芯电耦合到顶接触面的焊盘的底表面包括将第一集成电路管芯电耦合到所述多个内嵌结构的上部的底表面。

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