[发明专利]CMOS存储电路的泄漏电流减少有效
| 申请号： | 200480009091.X | 申请日： | 2004-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1768390A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 陈楠;钟成;迈赫迪·哈米迪·萨尼 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 存储 电路 泄漏 电流 减少 | ||
【权利要求书】：
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