[发明专利]与MRAM器件中磁电子元件上的导电层形成接触的方法有效
| 申请号： | 200480010848.7 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1777955A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 格雷格里·W·格里恩柯维奇;布莱恩·R·布彻;马克·A·杜尔拉姆;凯利·凯勒;查尔斯·A·斯奈德尔;肯尼斯·H·史密斯;克拉伦斯·J·特拉希;理查德·威廉斯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C8/02 | 分类号： | G11C8/02;G11C11/00;H01L43/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mram 器件 磁电 元件 导电 形成 接触 方法 | ||
【说明书】：
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