[发明专利]用于步骤Ⅱ的铜衬里和其他相关材料的化学机械抛光组合物及其使用方法无效
申请号: | 200480012929.0 | 申请日: | 2004-05-10 |
公开(公告)号: | CN101371339A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 彼得·弗施卡;大卫·伯恩哈德;卡尔·博格斯;迈克尔·达西罗 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/461 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;郭国清 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 步骤 衬里 其他 相关 材料 化学 机械抛光 组合 及其 使用方法 | ||
1.一种用于平坦化具有铜阻挡层部分的晶片表面的CMP组合物,所述组合物包括氧化剂、硼酸组分和研磨剂。
2.如权利要求1所述的CMP组合物,其中所述晶片表面还包括铜和介电材料。
3.如权利要求1所述的CMP组合物,其中所述阻挡层部分包括选自Ta、TaN、Ti、TiN、TiW、WN和掺硅的氮化物中的材料。
4.如权利要求2所述的CMP组合物,还包括腐蚀抑制剂。
5.如权利要求4所述的CMP组合物,其中基于组合物的总重量,所述研磨剂、氧化剂、硼酸组分和腐蚀抑制剂以下列重量比组成范围存在:
研磨剂 0.01-30wt%;
氧化剂 1-30wt%;
腐蚀抑制剂 0.01-10wt%;和
硼酸组分 0.01-10wt%。
6.如权利要求5所述的CMP组合物,其中所述硼酸组分钝化介电材料。
7.如权利要求1所述的CMP组合物,其是稳定的。
8.如权利要求1所述的CMP组合物,其中所述硼酸组分选自:
9.如权利要求1所述的CMP组合物,其中所述硼酸组分为硼酸。
10.如权利要求5所述的CMP组合物,其对介电材料和阻挡层材料都提供了可调节的选择性和除去速度。
11.如权利要求10所述的CMP组合物,其中电介质的除去速度和选择性可通过改变硼酸组分的浓度来控制。
12.如权利要求10所述的CMP组合物,其中阻挡层材料的除去速度和选择性可通过改变氧化剂的浓度来调节。
13.如权利要求5所述的CMP组合物,其包括按组合物总重量计为下列重量比范围的组分:
二氧化硅研磨剂 0-30wt%;
H2O2 1-30wt%;
BTA 0.01-10wt%;和
硼酸 0.01-10wt%。
14.如权利要求5所述的CMP组合物,包括按组合物总重量计为下列重量比范围的组分:
二氧化硅研磨剂 约13wt%;
H2O2 约5wt%;
BTA 约0.4wt%;
硼酸 约2.0wt%;和
水 约79.6wt%;
组合物中所有组分的总重量百分比合计为100wt%。
15.如权利要求1所述的CMP组合物,其中所述研磨剂组分选自:氧化物、金属氧化物、氮化硅、和碳化物。
16.如权利要求1所述的CMP组合物,其中所述研磨剂组分为二氧化硅单分散研磨剂,其具有约65nm的平均尺寸和球形。
17.如权利要求1所述的CMP组合物,其pH范围为约2至约7。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造